مشخصه یابی ساختارهای دورآلاییده
مشخصه یابی ساختارهای دورآلاییده
دسته بندی | زمین شناسی |
فرمت فایل | doc |
حجم فایل | ۷.۴۸۲ مگا بایت |
تعداد صفحات | ۱۵۱ |
دریافت فایل
در ساختارهای Si/SiGe/Siکه بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد مییابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGeشکل میگیرد اگر لایههای مجاور با ناخالصیهای نوع pآلاییده شده باشند حفره های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی میروند و تشکیل گاز حفرهای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده میدهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصیهای یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصیهای یونیده کاهش و به تبع آن تحرکپذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش مییابد .چگالی سطحی گاز حفرهای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچهدار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفرهای قابل کنترل میباشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار میگیرند .
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمیپردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفرهای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچهدار با دریچه Al/Ti/Siاز این مدل نظری استفاده میکنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفرهای بر حسب ولتاژ دریچه توانستهایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Siدر این ساختارها را در محدوده (m-۲) ۱۰۱۵ × 78/1 تا (m-۲) ۱۰۱۵ × 63/4 ارزیابی کنیم
فهرست مطالب
فصل اول : ساختارهای دورآلاییده۱
مقدمه ۲
۱-۱ نیمه رسانا ۳
۱-۲ نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم۴
۱-۳ جرم موثر ۴
۱-۴ نیمه رسانای ذاتی۶
۱-۵ نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش۷
۱-۶ نیمه رساناهای Siو Ge 10
۱-۷ رشد بلور ۱۳
۱-۷-۱ رشد حجمی بلور۱۵
۱-۷-۲ رشد رونشستی مواد۱۵
۱-۷-۳ رونشستی فاز مایع ۱۶
۱-۷-۴ رونشستی فاز بخار۱۸
۱-۷-۵ رونشستی پرتو مولکولی ۱۹
۱-۸ ساختارهای ناهمگون۲۰
۱-۹ توزیع حالتهای انرژی الکترونها در چاه کوانتومی۲۱
۱-۱۰ انواع آلایش ۲۳
۱-۱۰-۱ آلایش کپهای۲۴
۱-۱۰-۲ آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی ۲۴
۱-۱۰-۳ گاز الکترونی دوبعدی ۲۵
۱-۱۰-۴ گاز حفرهای دوبعدی۲۶
۱- ۱۱ ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ۲۷
۱-۱۱-۱ انواع ساختارهای دورآلاییده بهلحاظ ترتیب رشد لایهها ۲۷
۱-۱۱-۲ انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p 28
۱-۱۱-۳ انواع ساختار دور آلاییده دریچهدار۲۹
۱-۱۲ کاربرد ساختارهای دور آلاییده ۳۳
۱-۱۲-۱ JFET 33
۱-۱۲-۲ MESFET 34
۱-۱۲-۳ MESFETپیوندگاه ناهمگون ۳۵
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی۳۸
مقدمه ۳۹
۲-۱ شرط ایده آل و حالتهای سطحی ۴۱
۲-۲ لایه تهی ۴۴
۲-۳ اثر شاتکی ۴۷
۲-۴ مشخصه ارتفاع سد۵۱
۲-۴-۱ تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد ۵۱
۲-۴-۲ اندازه گیری ارتفاع سد۵۷
۲-۴-۳ اندازه گیری جریان – ولتاژ۵۷
۲-۴-۴ اندازه گیری انرژی فعال سازی۶۰
۲-۴-۵ اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت۶۰
۲-۴-۶ تنظیم ارتفاع سد ۶۲
۲-۴-۷ کاهش سد ۶۲
۲-۴-۸ افزایش سد۶۳
۲-۵ اتصالات یکسوساز . ۶۴
۲-۶ سدهای شاتکی نمونه ۶۴
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده۶۶
مقدمه ۶۷
۳-۱ ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si۱-XGeX/Si68
۳-۲ ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si69
۳-۳ محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده۷۱
۳-۳-۱ آلایش مدوله شده ایده آل۷۱
۳-۳-۲ محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ۷۴
۳-۳-۳ اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفرهای ۷۴
۳-۴ روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها ۷۶
۳-۴-۱ تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ۷۷
۳-۴-۲ تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها۷۸
۳-۴-۳ دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ۷۹
۳-۵ ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ۷۹
۳-۶ انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا۸۲
۳-۷ تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی حفرهها ۸۳
۳-۸ ملاحظات تابع موج۸۶
۳-۹ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه۸۷
۳-۱۰ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچهدار۸۷
فصل چهارم : نتایج محاسبات ۸۹
مقدمه ۹۰
۴-۱ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
۴-۱-۱ محاسبات نظری ns برحسب Ls ۹۱
۴-۱-۲ محاسبات نظری ns برحسب NA ۹۶
۴-۱-۳ محاسبات نظری ns برحسب nc ۹۹
۴-۱-۴ محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ۱۰۰
۴-۲ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچهدار Si/SiGe/Si 100
۴-۲-۱ محاسبات نظری ns برحسب vg۱۰۰
۴-۲-۲ بررسی نمونه ها با nsur متغیر وتابعی خطی از vgبا شیب مثبت ۱۰۷
۴-۲-۳ بررسی نمونه ها با nsur متغیر وتابعی خطی از vgبا شیب منفی۱۱۴
فصل پنجم : نتایج ۱۲۴
۵-۱مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si125
۵-۲ بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه ۱۲۵
پیوست ۱۲۹
چکیده انگلیسی (Abstract139
منابع ۱۴۱