تحقیق اینورترهای قدرت بالا برای منابع ولتاژ در کاربردهای صنعتی
تحقیق اینورترهای قدرت بالا برای منابع ولتاژ در کاربردهای صنعتی
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : ۴ صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
اینورترهای قدرت بالا برای منابع ولتاژ در کاربردهای صنعتی (با IGBT)
VSI قدرت بالا به عنوان درایو موتورهای القائی که از سیستم کنترل سرعت تنظیم شوند ASC
[۱] استفاده می کنند به وفور در صنعت استفاده می شوند. کاربردهای دیگری از این اینورترها به عنوان راه انداز فن ها و پمپ های صنعتی می باشد. یا برای کاربردهای ذخیره کننده انرژی و نیز در کاربردهای صنایع فلزی ورقه سازی مفتول سازی و … استفاده می شوند
قبلاً از سیستم های بر مبنای GTO استفاده می شده ولی اینک از سیستمهای IGBT به عنوان جایگزین استفاده می گردد که دارای محاسن زیر می باشند :
- مصرف توان کمتر
- کموتاسیون سرعت بالا و تلفات سوئیچینگ پائین
- توانائی حفاظت اتصال کوتاه بالا
- راحتی در استفاده بصورت موازی
لذا برای کاربردهای بالاتر از KVA۲۰۰ این برتری ها کاملاً شهود می باشند. حتی در مقایسه با ترانزیستورهای دو قطبی IGBT ها یک مزیت عمده تر نیز دارند و آن نداشتن ولتاژ شکست دوم می باشد.
به عنوان استاندارد صنعتی این سیستمها به دو صورت زیر موجود می باشند (بیشتر به این دو صورت می باشند)
(جدول ۱)
جدول ۱: استانداردهای صنعتی برای اینورترهای منبع ولتاژی
که تا حدود فرکانسی بالاتر از ۲۰۰۰ هرتز قابلیت سوئیچینگ را دارا می باشند.
ترکیب این سیستمها در موارد صنعتی دیگر بررسی شده اند.
اتصال موازی اینورترها
کاربردهای حرارت دهی القائی مثل جوشکاری لوله ها ، روکش دهی قطعات فولادی تحت حرارت بالا ، و … نیازمند توان الکتریکی در حد چندین مگاوات و فرکانس چند ۱۰۰ کیلوهرتز می باشند. برای تحقق این امور بایستی چندین اینورتر را بصورت موازی به هم وصل کرد.
نکته ای مهم که در اتصال موازی اینورترها بایستی مورد نظر قرار بگیرد سوئیچ زنی دقیق و همزمان بلوکهای اینورتری موازیست تا اینکه از یجاد جریان های گردشی بین مدارات جلوگیری کند. لذا در عمل با بررسی های اقتصادی یک پروژه تعداد عناصر موازی و در نتیجه ماکزیمم توان یک واحد اینورتری بایستی محدودیتهایی داشته باشد.
در حالت کلی بار یا القاگر برای کاربردهای حرارت دهی القائی ضریب توان بسیار پائین دارد ، مقدار ضریب جابجائی بین ۵/۰ تا ۲/۰ می باشد.
اگر رنج فرکانس مورد نظر زیر ۳۰۰ کیلوهرتز باشد IGBT ها گزینه مناسبی هستند ، چرا که در موارد عملی نیز تست شده اند. لیکن برای کاربردهای با فرکانس بالاتر درسطح مگاهرتز MOSFET های قدرت جایگزین این عناصر
می شوند. شکل ۱ مبین توپولوژی اینورتر IGBT (VSI) با مدار LCL می باشد.
شکل ۱ :توپولوژی اینورتر با مدار رزونانسی و بار LCL
که از ترانزیستورهای IGBT به صورت پل H ،استفاده شده و مدار رزونانسی شامل و C و نیز مدل بار شامل و می باشد. شکل موج خروجی اینورتر بصورت مربعی است ، اگر مدار اینورتر حول فرکانس تشدید (مدار LC) کار کند خروجی جریان بصورت سینوسی می باشد.
با طراحی مناسب مدار LC (انتخاب مناسب مقادیر) ولتاژ و جریان در راکتور و بیشتر از ولتاژ و جریان خروجی اینورتر خواهند شد. این امر در شکل ۲ نشان داده شده است
شکل ۲:ولتاژ و جریان مدار LCL موازی
● سیستم های یک سو سازی و اینورتری
