دانلود مقاله مهندسان مرکز تحقیق مواد پیشرفته

دانلود مقاله مهندسان مرکز تحقیق مواد پیشرفته

دانلود مقاله مهندسان مرکز تحقیق مواد پیشرفته

دانلود-مقاله-مهندسان-مرکز-تحقیق-مواد-پیشرفتهلینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : ۸ صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏۱
‏مهندسان مرکز تحقیق مواد پیشرفته، مشغول مطالعه بر روی یک روش اندازه‌گیری در مقیاس‌نانو می‌باشند که به آنها اجازه می‌دهد ساختارهای نیمه‌هادی جدید را در مقیاس اتمی مورد آزمایش قرار دهند، که می تواند راهگشای نسل جدیدی از وسایل الکترونیکی باشد.
دراین روش جدید از طراحی مدل کامپیوتری به همراه میکروسکوپی الکترون عبوری بدون انحراف، که می‌تواند تا ۰.۷ آنگستروم را تفکیک کند استفاده می‌شود. اکثر فواصل بین اتمی در بلورها، مانند سیلیکون، کمتر از ۰.۱ نانومتر (یک آنگستروم) می‌باشند.
توانایی مشاهده ساختارهای اتمی امکان تولید ساختارهای نیمه هادی پیشرفته، مثل ترانزیستورهای اثر میدانی تیغه‌ای (ترانزیستوری که جریان خروجی آن توسط یک میدان الکتریکی متناوب کنترل می‌شود و جایگزین ترانزیستورهای قدیمی خواهد شد) را افزایش می دهد.
دای‌بولد، یکی از اعضای این تیم تحقیقاتی می‌گوید: اصلاح انحراف میکروسکوپ الکترونی، قدرت تفکیک آن را تغییر داده و پنجره جدیدی رو به ساختارهای اتمی فناوری‌نانو گشوده است. او افزود : با استفاده از مدل ها ما قادر خواهیم بود عکس ها را با دقت بیشتری شبیه سازی کرده و در نتیجه برداشت صحیحی از آنچه نگاه می کنیم داشته باشیم.
دکتر برایان کوچ، استاد مهندسی شیمی دانشگاه تگزاس و مدیر این پروژه، می‌گوید: هدف این پروژه به کارگیری نرم‌افزارمنحصر به فرد برای شبیه‌سازی پراش الکترونی مدل‌های نانوسیم‌هایی است که با قطری کمتر از ۲۰ نانومتر، ابعادی شبیه نسل بعدی ورودی و خروجی های ترانزیستورها وساختارهای تیغه‌ای ترانزیستورهای اثر میدانی دارند. از آنجایی که نانوسیم‌ها ساختارهای ساده‌تری دارند، استفاده از آنها به محققان اجازه می دهد که روش‌های میکروسکوپی جدید را برای نیازهای علم اندازه‌گیری در آینده بهبود بخشند.
دای‌بولد می‌گوید: در گذشته علم اندازه گیری، برای همگام شدن با پیشرفت های سریع، در درجه بندی نیمه‌هادی‌ها مشکل داشت، ولی امروزه ابزاری در اختیار داریم که به ما امکان شناخت ساختار سطح، فصل مشترک و ساختارهای اتمی را به گونه ای که در قدیم امکان پذیر نبود می دهد. همچنین به ما کمک می کند گام بزرگی در جهت شناخت ساختارهای وسایل آینده برداریم.
مرکز تحقیق مواد پیشرفته بر روی جدید ترین مواد و قابلیت هایشان برای نسل بعدی نیمه هادی ها مطالعه می کند، همان گونه که جدیدترین تحقیق در زمینه فناوری نانو، بیوتکنولوژی و سایر فناوری‌های پیشرفته را انجام داده است. هدف از تلاش پنج ساله مرکز تحقیق مواد پیشرفته تسریع تجاری شدن تحقیقات فناوری‌های مهم است که به عقیده اقتصاد دانان، صنعت، اشتغال و درآمدهای مالیاتی آینده را تامین می کنند.
 
‏عبور دادن DNA ‏از یک نانوحفره
‏محققان دانشگاه ایلی‌نویز ایالات متحده، از یک ‏میدان الکتریکی برای وارد کردن نیرو به مولکول‌های DNA ‏جهت عبور از یک حفره باریک ‏استفاده نمودند. در نهایت ممکن است این روش برای تعیین مشخصات مکانیکی مجموعه‌های DNA-‏پروتئین به کار رود.
‏اَلِکسی آکسی‌مِنتیوف یکی از اعضای این تیم تحقیقاتی ‏بیان داشت:« ما در حال توسعه یک ابزار حالت جامد هستیم تا توسط آن بتوانیم توالی ‏تک‌مولکول‌های DNA ‏را در حین عبور از یک حفره نانومتری در یک غشای سیلیکونی تعیین ‏نماییم. هرچه قطر حفره کوچک‌تر باشد، کنترل ما بر روی شکل‌بندی (کنفورماسیون) DNA ‏درون حفره بیشتر بوده و شانس ما برای تعیین توالی نوکلئوتیدهای مولکول‌های
‏۳
DNA (‏کد ‏ژنتیکی) افزایش می‌یابد.»
‏بنا بر اظهارات آکسی‌مِنتیوف، شبیه‌سازی‌های رایانه‌ای ‏نشان می‌دهد استفاده از یک میدان الکتریکی قوی، محققان را قادر خواهد ساخت تا ‏بتوانند یک مولکول DNA ‏دو رشته‌‌ای را درون یک محلول از یک حفره کوچک‌تر از قطر ‏مولکول عبور دهند. محققان دریافتند این وضعیت در حقیقت حالت مورد نظر آنها می‌باشد. ‏آنها توانستند یک مولکول DNA ‏دو رشته‌ای را از یک حفره به قطر ۵/۲ نانومتر عبور ‏دهند. به نظر می‌رسد میدان الکتریکی قادر است مولکول‌های DNA ‏را کشیده و آنها را ‏باریک‌تر نماید. این محققان آزمایشات خود را در یک سل دو بخشی، که هر بخش حاوی ‏الکترولیت کلرید پتاسیم و الکترود Ag/AgCl ‏بود، انجام دادند. آنها با استفاده از ‏اشعه الکترودی، حفره‌هایی در یک غشای نیترید سیلیکونی به ضخامت ۱۰ نانومتر، که دو ‏بخش سل را از هم جدا می‌کرد، ایجاد نمودند. این نانوحفره‌ها قطری معادل یک تا سه ‏نانومتر داشتند.
‏این تیم تحقیقاتی مولکول‌های تک‌رشته‌ای و دو رشته‌ای DNA ‏را ‏در قسمت الکترود منفی محلول وارد کرده و پتانسیلی به دو طرف غشا اعمال نمودند و سپس ‏جریان عبوری از حفره را اندازه‌گیری کردند. عبور مولکول‌های DNA ‏به طور موقتی جریان ‏الکترولیت را مسدود کرد. دانشمندان تخمین می‌زنند که توانسته‌اند در حین عبور DNA ‏از حفره، نیرویی معادل ۱-۳۰۰ pN ‏به آنها وارد نمایند.
 
‏شبیه‌سازی‌های دینامیک مولکولی آزمایشات نشان داد که حد آستانه عبور مولکول‌های DNA ‏دو رشته‌ای، به شعاع حفره و پتانسیل اعمالی در دو طرف غشا بستگی دارد. این ‏نتیجه‌گیری، توسط داده‌های حاصل از آزمایشات نیز تایید شده‌اند.

 

دانلود فایل

 

0
افکار شما را دوست داریم، لطفا نظر دهید.x