دانلود تحقیق رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

تحقیق رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

توضیحات :

فایل تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازك سخت ویا نرم در قالب Word دارای 30 صفحه.

مقدمه

مورفولوژی یك پوشش بطور عمده به فناوری بكار گرفته شده بستگی دارد. بطور كلی روشهایی كه در آن پوشش از فاز بخار رسوب داده می‌شوند. را می‌توان دو گروه اصلی تقسیم كرد روش رسوب شیمیایی بخار CVD و روش رسوب فیزیكی PVD بعلاوه از روشهایی به نام روشهای كمكی یا تحریك شده نیز استفاده می‌شود. بعنوان مثال روش كمكی پلاسمای رسوب شیمیایی بخار PA-CVD یا فرآیندهای دما توسط مانند روش دما متوسط CVD كه با MT-CVD نمایش داده می‌شود نیز گسترش پیدا كرده است. همانطور كه در شكل 5.1 نشان داده شده است بعنوان مثال به روشهای فوق مواردی مثل پرایدهای نسوز، كارمیدها، نیتریدها ،اكسیدها وتركیب های مختلفی از این گونه پوششها را میتوان رسوب داد.

5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار

5.2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD

در روش رسوب شیمیایی بخار واكنش كننده ها بصورت گاز تامین شده و واكنشهای شیمیایی در اثر گرما در سطح زیر لایه گرم شده انجام می‌شوند. در روشهای CVD معمولا فرآیند در درجه ر600 تا 1100 درجه سانتیگراد انجام می‌شود هزینه فرآیندهایی كه در درجه وارستای پایین تر نیز كار می كنند بكار گرفته شده است. در جدول 5.1 می‌توان روشهایی از CVD كه بیشتر در صنعت ارز برش بكار می رود را ملاحظه كرد.

In به شكل سنتی خود فناوری CVD بدون فرآیندهای كمكی در فشار محیط مثل پوشش دهی در فشار محیط APCVD CVD یا در فشار پایین مثل پوشش دهی به فشار كم CVD استفاده میشود. از فناوری APCVD كه به پوشش دهی با دمای بالای (HT-CVD) CVD نیز معروف است بعنوان پرمصرف ترین روش پوشش می‌توان نام برد.

در روش كلاسیك پوشش دهی CVD كه از سال 1969 در صنعت بكارگرفته شد از در یك لحظه ای حفاظت شده از اتمسفر محیط،تحت گاز هیدروژن فشار 1 اتمسفر یا كمتر تا 1000C گرم می‌شود. همچنین تركیبات تبخیر شدنی به اتمسفر هیدروژن اضافه می‌شوند. تا بتوان تركیبات فلی وغیرفلزی را رسوب داد. یك جنبه مشترك تمام فناوریهای CVD افزودن عنصر مورد نظر در پوشش به شكل یك هالوژن مثل Tic4 در ورد لایه های Ti(cN) یا TiN Tic یا مخلوطی از هالوژنها مثل Ticl4 +Bcl3 در مورد لبه های TiB2 می‌توان نام برد.

5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)

وسایل بكار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شكل 5.2 ارائه شده است در این روش یك محفظه واكنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم می‌شود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت قطعات تحت پوشش تركیب شیمیایی و فشار گانه ها كنترل میشود. همانطور كه قبلا اشاره شد واكنشهای هالیه فلزات مثلا با هیدروژن ،نیتروژن یا متان. بكار گرفته می‌شود تا بتوان پوششهایی مثل انواع نیترید ها یا كاربیدهای فلزات را ایجاد كرد.

بعنوان مثال واكنشهای ذیل برای ایجاد پوششهای به ترتیب نیترید نتیتانیوم وكاربید تیتانیوم بكار گرفته می‌شود:

و…